Aushärtung des Underfills für Halbleiter IR

Mon, 01 Jun 2026 02:13:41 +0800

On the line, die Uhr wartet nicht auf thermische Drift.
In einer 300 mm Fertigung befindet sich das Aushärten des Underfills am Ende der Prozesskette – nach dem Bump, nach dem Flip-Chip-Bonding – wo Durchsatz und Ausbeute in Sekunden gemessen werden und Fehler im Mikrometerbereich liegen. Lässt man das thermische Profil driften, führt das zu Hohlräumen, Einbruch der Lötstelle oder CTE-Mismatch-Spannungen, die sich später als Feldfehler zeigen. Wenn die IR-Quelle nicht die Leistung bringt, verlängert der Ofen die Verweilzeit zur Kompensation, und die Linie kann nicht mehr mithalten.
Wir haben unsere IR-Underfill-Aushärtung für Halbleiter unter einer klaren Vorgabe entwickelt: Prozesskontrolle, die sich wie eine Spezifikation verhält, nicht wie ein Wunsch.

Unterfüllen on Infrared Heat Limited

Aushärtung des Underfills für Halbleiter IR