IR on Infrared Heat Limited

Tapa final de cerámica para emisor IR

Mon, 27 Jul 2026 08:33:46 +0800

Manejo de la dispersión del calor en los equipos semiconductores
Si alguna vez ha utilizado emisores de infrarrojos de alta potencia en herramientas semiconductoras, sabrá cuán difícil es controlar ese problema. Se trata de luchar constantemente contra el calor excedente. Sin una forma de contenerlo, la radiación se dispersa por todas partes, directamente hacia las paredes del equipo. Es un desastre. No solo se desperdicia energía, sino que el chasis también se calienta tanto que puede dañar a los operadores o dañar las piezas internas del equipo.

Reflector de aluminio para lámpara IR

Fri, 24 Jul 2026 11:39:55 +0800

Deje de desperdiciar su energía: Por qué los reflectores recubiertos de oro son realmente importantes
Cuando se calientan las obleas de silicio, cada vatio cuenta. Si utiliza reflectores de aluminio estándar, probablemente esté perdiendo más energía de la que cree. Esa energía simplemente desaparece: es absorbida por el metal o se dispersa en direcciones incorrectas.

Por eso utilizamos el oro. Puede parecer algo sofisticado, pero en realidad es una solución práctica. Lo que buscamos es dirigir toda la radiación infrarroja posible directamente hacia la oblea.

Sensor de IR de precisión para obleas

Mon, 20 Jul 2026 11:10:01 +0800

¿Por qué pasamos al curado por infrarrojos para los chips sin plomo?
El mundo de los semiconductores finalmente está dejando atrás esos hornos convencionales antiguos. La mayoría de nosotros estamos pasando al uso del curado por infrarrojos. Y no se trata solo de cumplir con las nuevas normas “ecológicas” o relacionadas con la ausencia de plomo… aunque eso es una parte importante. Se trata también de cómo funciona el calor en realidad.

En lugar de utilizar aire caliente para calentar toda la habitación, el sistema por infrarrojos utiliza radiación electromagnética. No afecta al aire en absoluto; simplemente actúa directamente sobre el objetivo deseado.

Curado de underfill para IR de semiconductores

Mon, 01 Jun 2026 02:13:41 +0800

En la línea, el reloj no espera la deriva térmica.
En una fábrica de 300 mm, el curado del underfill está al final del proceso—después del bump, después del flip-chip bonding—donde el rendimiento y el yield se miden en segundos, y los defectos en micrones. Si el perfil térmico se desplaza, se generan vacíos, colapso del filete o tensiones por desajustes del CTE que luego aparecen como fallas en campo. Cuando la fuente IR rinde por debajo de lo esperado, el horno extiende el tiempo de permanencia para compensar, y la línea deja de avanzar al ritmo requerido.
Diseñamos nuestro sistema de curado IR para underfill en semiconductores alrededor de un requisito estricto: control del proceso que se comporte como una especificación, no como un deseo.