Curado de underfill para IR de semiconductores

Mon, 01 Jun 2026 02:13:41 +0800

En la línea, el reloj no espera la deriva térmica.
En una fábrica de 300 mm, el curado del underfill está al final del proceso—después del bump, después del flip-chip bonding—donde el rendimiento y el yield se miden en segundos, y los defectos en micrones. Si el perfil térmico se desplaza, se generan vacíos, colapso del filete o tensiones por desajustes del CTE que luego aparecen como fallas en campo. Cuando la fuente IR rinde por debajo de lo esperado, el horno extiende el tiempo de permanencia para compensar, y la línea deja de avanzar al ritmo requerido.
Diseñamos nuestro sistema de curado IR para underfill en semiconductores alrededor de un requisito estricto: control del proceso que se comporte como una especificación, no como un deseo.

Relleno Inferior on Infrared Heat Limited

Curado de underfill para IR de semiconductores