आईआर on Infrared Heat Limited

आईआर एमिटर के लिए सिरेमिक एंड कैप

Mon, 27 Jul 2026 08:33:56 +0800

सेमीकंडक्टर उपकरणों में ऊष्मा-विस्तार से निपटना

यदि आपने कभी सेमीकंडक्टर उपकरणों में उच्च-वॉटेज वाले आईआर एमिटरों का उपयोग किया है, तो आपको इस समस्या का अनुभव होगा। ऐसी स्थिति में आपको लगातार अतिरिक्त ऊष्मा से लड़ना पड़ता है।
जब ऊष्मा को नियंत्रित करने का कोई तरीका न हो, तो वह हर दिशा में फैल जाती है… यहाँ तक कि उपकरणों की दीवारों तक भी। यह बहुत ही समस्याजनक स्थिति है। न केवल ऊर्जा बर्बाद होती है, बल्कि उपकरणों का आंतरिक भाग भी इतना गर्म हो जाता है कि ऑपरेटरों को चोट पहुँच सकती है, या उपकरणों के आंतरिक भाग क्षतिग्रस्त हो सकते हैं।
इसीलिए हम सिरेमिक एंड कैप्स का उपयोग करते हैं… ऐसा करने से ऊष्मा को वहीं भेजा जा सकता है, जहाँ उसे जाना चाहिए।

आईआर लैंप के लिए एल्यूमीनियम रिफ्लेक्टर

Fri, 24 Jul 2026 11:39:55 +0800

अपनी ऊर्जा को बर्बाद मत करें: सोने से ढके रिफ्लेक्टरों का महत्व

जब आप सिलिकॉन वेफरों को गर्म कर रहे होते हैं, तो हर वॉट कीमती होता है। यदि आप सामान्य एल्यूमीनियम रिफ्लेक्टरों का उपयोग कर रहे हैं, तो आप शायद उम्मीद से अधिक ऊर्जा खो रहे हैं। यह ऊर्जा या तो धातु द्वारा अवशोषित हो जाती है, या गलत दिशा में चली जाती है।
इसीलिए हम सोने का उपयोग करते हैं। यह तो बहुत ही आकर्षक लगता है, लेकिन वास्तव में यह बहुत ही व्यावहारिक है। हमारा उद्देश्य यह है कि जितना हो सके, उतनी अधिक इन्फ्रारेड ऊर्जा को सीधे वेफर पर भेजा जाए।

वेफरों के लिए परिशुद्धता संपन्न आईआर सेंसर

Mon, 20 Jul 2026 11:10:01 +0800

हम लीड-फ्री चिप्स के निर्माण हेतु IR क्यों उपयोग में ला रहे हैं?
सेमीकंडक्टर उद्योग अब पुराने तरीकों को छोड़कर इनफ्रारेड तकनीक का उपयोग कर रहा है। हम में से अधिकांश लोग इनफ्रारेड तकनीक का उपयोग कर रहे हैं… और यह केवल “पर्यावरण-अनुकूल” या लीड-फ्री नियमों का पालन करने के लिए ही नहीं है… हालाँकि यह भी इसका एक महत्वपूर्ण कारण है। वास्तव में, इनफ्रारेड तकनीक में ऊष्मा का उपयोग बहुत ही कुशल तरीके से किया जाता है।

सेमीकंडक्टर IR के लिए अंडरफिल क्यूरिंग

Mon, 01 Jun 2026 02:13:42 +0800

लाइन पर, घड़ी थर्मल ड्रिफ्ट का इंतजार नहीं करती।
एक 300 mm फैब में, अंडरफिल क्योरिंग बम्प के बाद, फ्लिप-चिप बॉन्डिंग के बाद, लाइन के आखिरी हिस्से में होती है—जहाँ थ्रूपुट और यील्ड सेकंड में मापे जाते हैं, और दोष माइक्रोन में। यदि थर्मल प्रोफाइल में ड्रिफ्ट होता है तो आप voiding, fillet collapse, या CTE mismatch तनाव देखेंगे, जो बाद में फील्ड फेल्योर के रूप में सामने आता है। जब IR स्रोत कम प्रदर्शन करता है, तो ओवन कैम्पेनसेट करने के लिए ड्वेल बढ़ाता है, और लाइन की गति रुक जाती है।
हमने अपने सेमीकंडक्टर IR अंडरफिल क्योरिंग को एक सख्त आवश्यकता के इर्द-गिर्द बनाया है: प्रॉसेस कंट्रोल जो एक विनिर्देश की तरह व्यवहार करे, न कि एक इच्छा की तरह।