IR on Infrared Heat Limited

Ujung keramik untuk pemancar IR

Mon, 27 Jul 2026 08:34:17 +0800

Mengatasi Masalah Penyebaran Panas pada Peralatan Semikonduktor
Jika Anda pernah menggunakan alat pemancar gelombang inframerah berdaya tinggi dalam peralatan semikonduktor, Anda pasti tahu betapa sulitnya mengatasi masalah penyebaran panas tersebut. Anda harus terus-menerus berjuang melawan panas yang berlebihan tersebut.

Tanpa adanya cara untuk menahan panas tersebut, radiasi panas akan menyebar ke mana-mana—langsung ke dinding peralatan. Hal ini tentu saja sangat merepotkan. Bukan hanya energi yang terbuang sia-sia, tetapi bodi peralatan juga akan menjadi sangat panas, sehingga dapat membahayakan pengoperasian peralatan atau merusak komponen-komponennya.

Reflektor aluminium untuk lampu IR

Fri, 24 Jul 2026 11:39:55 +0800

Hentikan Pemborosan Energi: Mengapa Reflektor Berlapis Emas Sangat Penting

Saat Anda memanaskan wafer silikon, setiap watt energi sangatlah berharga. Jika Anda menggunakan reflektor berbahan aluminium biasa, kemungkinan besar Anda kehilangan lebih banyak energi daripada yang Anda sadari. Energi tersebut hilang begitu saja—diserap oleh logam atau tersebar ke arah yang salah.

Itulah mengapa kita menggunakan emas. Memang terdengar mewah, tetapi sebenarnya hal ini sangat praktis. Tujuannya adalah untuk membuat radiasi inframerah mengenai wafer seefisien mungkin.

Emas vs. Aluminium: Perbedaannya yang Nyata

Aluminium memang merupakan bahan yang sudah lama digunakan dan terbukti efektif. Namun, bahan ini kurang efektif dalam menangani sinar inframerah berfrekuensi tinggi.

Sensor IR presisi untuk wafer

Mon, 20 Jul 2026 11:10:01 +0800

Mengapa kita beralih ke metode pengeringan dengan sinar inframerah untuk chip tanpa timbal
Dunia semikonduktor akhirnya mulai meninggalkan penggunaan oven konvensional yang sudah ketinggalan zaman. Kebanyakan dari kita beralih ke metode pengeringan menggunakan sinar inframerah. Hal ini bukan hanya karena adanya aturan “ramah lingkungan” atau larangan penggunaan bahan berbasis timbal—meskipun itu juga merupakan alasan penting. Yang lebih penting adalah cara kerja panas tersebut.

Alih-alih menggunakan udara panas untuk menghangatkan suatu ruangan, metode sinar inframerah menggunakan radiasi elektromagnetik. Radiasi ini tidak mempengaruhi udara di sekitarnya; ia langsung menyerang permukaan objek yang akan dipanaskan.

Pengeringan underfill untuk semikonduktor IR

Mon, 01 Jun 2026 02:13:41 +0800

On the line, the clock doesn’t wait for thermal drift.
Di jalur produksi, waktu tidak menunggu pergeseran termal.
In a 300 mm fab, underfill curing sits at the tail end—after bump, after flip-chip bonding—where throughput and yield are measured in seconds, and defects are measured in microns. Let the thermal profile drift and you’ll see voiding, fillet collapse, or CTE mismatch stress that shows up later as field failures. When the IR source underperforms, the oven stretches the dwell to compensate, and the line stops keeping pace.
Di sebuah fab 300 mm, proses underfill curing berada di tahap akhir—setelah bump, setelah flip-chip bonding—di mana throughput dan yield diukur dalam hitungan detik, dan cacat diukur dalam mikron. Jika profil termal bergeser, akan muncul voiding, keruntuhan fillet, atau tegangan ketidaksesuaian CTE yang kemudian muncul sebagai kegagalan di lapangan. Ketika sumber IR tidak berfungsi optimal, oven memperpanjang waktu tinggal untuk mengkompensasi, dan jalur produksi berhenti mengikuti kecepatan.
We built our semiconductor IR underfill curing around one hard requirement: process control that behaves like a spec, not a wish.
Kami merancang sistem curing underfill IR untuk semikonduktor berdasarkan satu persyaratan utama: kontrol proses yang berperilaku seperti spesifikasi, bukan harapan.