IR on Infrared Heat Limited

Estremità in ceramica per emettitore IR

Mon, 27 Jul 2026 08:34:16 +0800

Gestione della dispersione del calore nei dispositivi semiconduttori
Se avete mai utilizzato emettitori a raggi infrarossi ad alta potenza nei dispositivi semiconduttori, sapete bene quanto sia difficile gestire il problema legato alla dispersione del calore. È necessario combattere costantemente contro questo fenomeno. Senza un modo per contenere il calore, esso si diffonde ovunque, direttamente verso le pareti del dispositivo. È una situazione disastrosa: non solo si spreca energia, ma anche la struttura del dispositivo può surriscaldarsi al punto da danneggiare gli operatori o i componenti interni.

Riflettore in alluminio per lampada IR

Fri, 24 Jul 2026 11:39:55 +0800

Smettete di sprecare energia inutilmente: perché i riflettori rivestiti d’oro sono davvero utili

Quando si riscalda dei wafer di silicio, ogni singolo watt conta. Se si utilizzano riflettori in alluminio standard, è probabile che si perda più energia di quanto si pensi. L’energia viene semplicemente assorbita dal metallo o dispersa nella direzione sbagliata.
Ecco perché utilizziamo l’oro. Sembra un materiale elegante, ma in realtà è puramente pratico. Si tratta di far sì che la maggior quantità possibile di radiazioni infrarosse venga diretta verso il wafer.

Sensore IR a precisione per wafer

Mon, 20 Jul 2026 11:10:01 +0800

Perché passiamo all’utilizzo della tecnologia di essiccazione a raggi infrarossi per i chip senza piombo
Il mondo dei semiconduttori sta finalmente abbandonando quei vecchi forni a convezione. La maggior parte di noi sta passando all’uso della tecnologia di essiccazione a raggi infrarossi. Non si tratta soltanto di seguire le nuove regole legate all’ambiente e all’uso di materiali senza piombo… anche se questo rappresenta un aspetto importante. Si tratta piuttosto del modo in cui il calore viene utilizzato.

Polimerizzazione dell underfill per semiconduttori IR

Mon, 01 Jun 2026 02:13:41 +0800

On line, l’orologio non aspetta la deriva termica.
In una fab da 300 mm, la polimerizzazione dell’underfill si trova in fondo alla linea—dopo il bump, dopo il flip-chip bonding—dove la produttività e la resa si misurano in secondi, e i difetti si misurano in micron. Lasciar scivolare il profilo termico significa vedere vuoti, collasso del fillet o stress da disallineamento del CTE che si manifestano poi come guasti in campo. Quando la sorgente IR eroga meno potenza del previsto, il forno allunga il tempo di permanenza per compensare, e la linea perde il ritmo.
Abbiamo costruito il nostro sistema di polimerizzazione IR per underfill nel semiconduttore intorno a un requisito stringente: controllo di processo che si comporti come una specifica, non come un’aspettativa.