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		<title>IR (インフラ環境) on Infrared Heat Limited</title>
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				<title>半導体IRのアンダーフィル硬化</title>
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				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://ir-heat-ltd.com/images/e619a459508a95cd74ea4eae0be40cd1.png&#34; alt=&#34;半導体IRのアンダーフィル硬化&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;ライン上では、クロックは熱ドリフトを待たない。&lt;br&gt;&#xA;300 mmファブでは、アンダーフィル硬化はバンプ、フリップチップボンディングの後の最終段階に位置し、スループットと歩留まりは秒単位で計測され、欠陥はミクロン単位で評価される。熱プロファイルがドリフトすると、ボイド、フィレットの崩壊、あるいは後にフィールド故障として現れるCTE不整合による応力が発生する。IR光源の性能が不足すると、炉は滞留&lt;a href=&#34;https://goldisgood.com&#34;&gt;時間&lt;/a&gt;を延長して補正し、ラインのペースが維持できなくなる。&lt;br&gt;&#xA;我々は、半導体用IRアンダーフィル硬化装置を、「仕様のように動作する」プロセス制御という厳格な要求のもとに設計した。&lt;/p&gt;</description>
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