IR on Infrared Heat Limited

IR 방출기용 세라믹 엔드캡

Mon, 27 Jul 2026 08:34:16 +0800

반도체 장비에서의 열 확산 문제 해결하기
만약 반도체 제조 장비에 고출력의 적외선 발생기를 사용해본 적이 있다면, 그 고민을 잘 알 것입니다. 끊임없이 발생하는 열을 억제하는 것은 정말 어려운 일입니다. 열을 억제할 방법이 없다면, 열은 그대로 장비의 벽 쪽으로 퍼져나갑니다. 이는 매우 위험한 상황입니다. 에너지가 낭비될 뿐만 아니라, 장비의 외부 부품들도 과열되어 손상될 수 있습니다.

적외선 램프용 알루미늄 반사판

Fri, 24 Jul 2026 11:39:55 +0800

열을 낭비하지 마세요: 금으로 코팅된 반사체가 왜 중요한지
실리콘 웨이퍼를 가열할 때는 모든 와트가 중요합니다. 일반적인 알루미늄 반사체를 사용한다면, 예상보다 더 많은 에너지가 손실됩니다. 그 에너지는 금속에 흡수되거나 잘못된 방향으로 흩어집니다.
그래서 우리는 금을 사용하는 것입니다. 듣기에는 고급스러워 보이지만, 사실은 매우 실용적인 방법입니다. 가능한 한 많은 적외선을 웨이퍼에 직접 전달하기 위함입니다.

웨이퍼용 고정밀 IR 센서

Mon, 20 Jul 2026 11:10:01 +0800

왜 무연 칩 제조에 적외선 경화 방식을 사용하는가?
반도체 산업은 이제 더 이상 구식의 대류식 오븐을 사용하지 않고 있습니다. 우리 대부분은 적외선 경화 방식으로 전환하고 있습니다. 이는 단순히 ‘친환경적이거나 무연’이라는 규칙을 따르기 위함만은 아닙니다. 그보다는 열이 실제로 어떻게 작용하는지와 관련이 있습니다.

반도체 IR용 언더필 경화

Mon, 01 Jun 2026 02:13:41 +0800

라인에서는 시계가 열변위(thermal drift)를 기다려주지 않는다.
300 mm 팹에서 언더필 경화는 범프, 플립칩 본딩 이후의 마지막 단계에 위치하며, 처리량과 수율은 초 단위로 측정되고, 결함은 마이크론 단위로 측정된다. 열 프로파일이 변동하면 보이드, 필렛 붕괴, 또는 나중에 현장 불량으로 이어지는 CTE 불일치 응력이 발생한다. IR 소스의 출력이 부족하면 오븐이 체류 시간을 늘려 보상하며, 라인은 속도를 따라가지 못한다.
우리는 반도체 IR 언더필 경화를 한 가지 엄격한 요구사항 아래 설계했다: 스펙처럼 작동하는 공정 제어, 희망사항이 아니라.