IR on Infrared Heat Limited

Hujung kaca seramik untuk pemancar IR

Mon, 27 Jul 2026 08:34:18 +0800

Mengatasi masalah penyebaran haba dalam peralatan semikonduktor

Jika anda pernah menggunakan pengeluar haba berkuasa tinggi dalam alat-alat semikonduktor, anda pasti tahu betapa sukar untuk mengawal haba yang dihasilkan. Anda perlu berjuang melawan haba yang tersebar ke merata-rata tempat.

Tanpa cara untuk mengawal haba tersebut, radiasi akan merebak ke mana-mana sahaja – terus ke dinding alat tersebut. Ini merupakan masalah besar. Bukan sahaja tenaga dibazirkan, tetapi bahagian dalaman alat juga boleh menjadi terlalu panas sehingga boleh membahayakan pengendali atau merosakkan komponen dalaman alat tersebut.

Reflektor aluminium untuk lampu IR

Fri, 24 Jul 2026 11:39:55 +0800

Hentikan Pembaziran Tenaga: Mengapa Reflektor Berlapis Emas Sangat Penting

Ketika anda memanaskan wafer silikon, setiap watt tenaga sangat penting. Jika anda menggunakan reflektor aluminium biasa, kemungkinan besar anda akan kehilangan lebih banyak tenaga daripada yang disedari. Tenaga tersebut hilang begitu saja—diserap oleh logam atau tersebar ke arah yang salah.

Itulah sebabnya kita menggunakan emas. Ia mungkin kedengaran mewah, tetapi sebenarnya ia merupakan pilihan yang praktikal. Tujuannya adalah untuk memastikan sebanyak mungkin sinar inframerah sampai ke wafer tersebut.

Penderia IR yang tepat untuk wafer

Mon, 20 Jul 2026 11:10:01 +0800

Mengapa kita beralih kepada kaedah pengeringan menggunakan sinar inframerah untuk cip yang bebas plumbum
Dunia semikonduktor kini sedang beransur meninggalkan kaedah pengeringan lama yang menggunakan haba konvensional. Kebanyakan pengeluar kini beralih kepada kaedah pengeringan menggunakan sinar inframerah. Ini bukan sekadar untuk mematuhi peraturan “mesra alam” atau penggunaan bahan yang bebas plumbum – walaupun itu juga merupakan faktor penting. Sebenarnya, kaedah ini lebih efektif kerana ia menggunakan radiasi elektromagnetik untuk memanaskan bahan tersebut.

Berbeza dengan ketuhar konvensional yang memerlukan udara panas untuk dipam ke seluruh ruangan, kaedah IR hanya menggunakan radiasi elektromagnetik yang bertujuan untuk memanaskan permukaan bahan secara langsung.

Penyembuhan underfill untuk IR semikonduktor

Mon, 01 Jun 2026 02:13:42 +0800

Pada barisan pengeluaran, jam tidak menunggu pergeseran terma. Dalam sebuah kilang 300 mm, pengerasan underfill IR terletak di hujung proses—selepas bump, selepas penyambungan flip-chip—di mana kadar pengeluaran dan hasil diukur dalam saat, dan kecacatan diukur dalam mikron. Biarkan profil terma meleret dan anda akan melihat kekosongan, keruntuhan fillet, atau tekanan ketidakpadanan CTE yang muncul kemudian sebagai kegagalan di lapangan. Apabila sumber IR lemah prestasinya, ketuhar memanjangkan masa bertapak sebagai pampasan, dan barisan pengeluaran berhenti mengikuti kelajuan. Kami membina sistem pengerasan underfill IR semikonduktor kami berdasarkan satu keperluan utama: kawalan proses yang berperingkat seperti spesifikasi, bukan harapan.